過去幾年，碳化硅（SiC）MOSFET在功率電子領域迅速普及。同時，為了在汽車和電動車的三相逆變器中加強SiC的應用，SiC器件的電壓電流能力需要顯著提高。提高電壓等級需要提 升SiC芯片本身的設計，而提高電流能力在大多數情況下則需要在單個功率模塊中并聯多個SiC芯片。模塊經過精心設計，在高電流、散熱、寄生組件管理和使用壽命之間實現了平衡。

RoadPak SiC MOSFET：1.2 kV模塊完美滿足上述要求，采用半橋配置，每側可并聯多達10個SiC MOSFET芯片，支持大電流。

為了充分利用SiC MOSFET技術實現的低損耗，應用層面必須實現高速切換，以降低開關損耗，提高效率。然而，在實踐中，功率半導體器件的開通和關斷面臨一系列困難，需要仔細設計整個系統。模塊的柵極驅動單元需要與功率模塊完美協調，不僅要平衡柵源電壓的性能，還要能驅動基本的安全特性，為逆變器的運行提供安全的機制。