適合高密度應用的新型功率半導體需要采用門極驅動器技術,這些技術支持更高的工作電壓,并且能夠在更寬的溫度范圍內保持高可靠性。封裝還必須符合爬電距離和電氣間隙的國際標準。本白皮書將介紹一種采用新型工業封裝設計的創新的通信和絕緣技術。此外,還提出一種在系統短路期間提供完善的過壓保護的方法。
下載白皮書近期,碳化硅功率半導體越來越受歡迎,這正是電動汽車和可再生能源等重要新市場發展迅速但面臨挑戰的局面所導致的。當然,現有的功率半導體應用也變得更加苛刻。碳化硅的關鍵優勢在于其高介電擊穿場強相較于具有相同耐壓的硅IGBT模塊,它可以生產出具有明顯更快的開關速度和更低的傳導損耗的功率模塊。為了在實際應用中發揮全SiC功率模塊的所有優勢,門極驅動器電路設計比以往任何時候都更具挑戰性,需要解決三個主要問題。
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